柴山　義行准教授

近年、孤立した1つのナノグラファイトの電子状態の理解は急速に進んだが、そのナノグラファイトがネットワークを組んだナノグラファイトネットワークの電子状態の研究はあまり進んでいない。しかし、グラフェンを用いた次世代半導体素子の開発にはナノグラファイトネットワークの電子状態に関する知見が必要である。このナノグラファイトネットワークの電子状態を電子輸送現象の観点から明らかにする

電子輸送現象、比熱、磁化の測定からナノグラファイトネットワークの電子状態の研究を行い、伝導キャリアとナノグラファイトに特有なπ電子エッジ状態との相互作用を明らかにする。また、このエッジ状態はフェルミ準位に存在するため外来分子と大きな相互作用を持つ。この特性を利用し、気体吸着センサー等への応用も目指す。