Electric/Electronic/Communication
原子を1層ずつ結晶成長させ、新しい半導体材料を開発する。表面・界面エンジニアリングによる半導体ナノ量子構造の作製により、新しい機能を持った光・電子デバイスが可能。従来のナノサイズからマスクなしでサブミクロン構造も作製できるようになってきている。
有機金属材料を用いた結晶成長法により、非混和性の強い材質でも相分離させずに新しい混晶半導体結晶を作製することが出来る。また、表面・界面制御により量子ドット、量子井戸、超格子などを作製し、量子効果により様々な物性や機能を実現していく。それらによって生じる広範囲なバンドギャップエンジニアリングという利点から、新機能を持った光デバイス・電子デバイスを開発する。
GaAsN(ガリウムヒ素窒素)系半導体混晶の研究、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体量子ドットの研究、透明酸化物半導体の研究。
任意の結晶構造、格子定数の結晶が作製可能。広範囲でバンドギャップエンジニアリングが可能。GaAsNSeノンアロイオーミック電極が可能。
結晶成長装置の開発、化合物半導体材料の開発、高分解能X線回折測定とシミュレーション解析、ナノ量子構造の作製、大面積ZnO成長技術の開発。