| 開講学期／Course Start | 2024年度／Academic Year 後期／Second |
|---|---|
| 開講曜限／Class period | 火/Tue 1 , 火/Tue 2 , 火/Tue 3 , 火/Tue 4 |
| 授業区分／Regular or Intensive | 週間授業 |
| 対象学科／Department | |
| 対象学年／Year | 1年 , 2年 |
| 授業科目区分／Category | 博士前期課程 大学院自専攻科目 |
| 必修・選択／Mandatory or Elective | 選択 |
| 授業方法／Lecture or Seminar | 講義科目 |
| 授業科目名／Course Title | 集積回路工学特論／Advanced Integrated Circuit Engineering |
| 単位数／Number of Credits | 2 |
| 担当教員名／Lecturer | 植杉 克弘 (創造工学科電気電子工学コース) |
| 時間割コード／Registration Code | MS317 |
| 連絡先／Contact | 植杉 克弘(Y701, 0143-46-5546, uesugi@muroran-it.ac.jp) |
| オフィスアワー／Office hours | 植杉 克弘(水・木 12:00～13:00) |
| 実務経験／Work experience |
| 更新日／Date of renewal | 2024/01/17 |
|---|---|
| 授業のねらい ／Learning Objectives |
本講義は，集積回路の構成素子であるMOSトランジスタの構造と動作原理から，微細化と集積化のための半導体プロセス技術の基本原理について解説する． This subject is designed to understand the structure and operation of MOS transistors used in integrated circuits and the basic principles of semiconductor process technology for their miniaturization and integration. |
| 到達度目標 ／Outcomes Measured By: |
最先端の集積化デバイスの構造と動作，製造技術の原理が理解できる． The goal of this subject is to understand the structure, operation, and manufacturing principles for advanced integrated circuit devices. |
| 授業計画 ／Course Schedule |
第１週 集積回路のあらまし Outline of integrated circuits 第２週 結晶成長と加工技術 Crystal growth and machining technology 第３週 薄膜堆積技術 Thin film deposition technology 第４週：不純物導入技術 Impurity implantation technology 第５週：リソグラフィ技術 Lithography technology 第６週：微細化と集積化技術 Miniaturization and integration technology 第７週：最新の集積回路技術動向 Latest trends in integrated circuits technology 第８週：まとめ Summary 総授業時間数：22.5時間 (45 分 x 4時限 x 7.5回) Total hours: 22.5 h (45 minutes x 4 periods x 7.5 times) 90分の講義に対する学修時間の目安は，事前・事後合わせて４時間必要です． For each 90 min class, students are expected to undertake an additional 4 h of self-study. |
| 参考書等 ／Required Materials |
プロセスインテグレーション 谷口研二, 鳥海明, 財満鎭明編著 ; 大場隆之, 河崎尚夫, 綱島祥隆著 丸善 2010(ISBN:9784621082843) |
| 教科書・参考書に関する備考 |
各授業ごとに資料を配布する． No text books. The stuff for presentation is delivered in every class. |
| 成績評価方法 ／Grading Guidelines |
レポートおよび発表で評価し，100点満点とする．60点以上を合格とする． The score of each student is evaluated by reports and presentations (100%). A grade of more than 60% is accepted for credit. |
| 学習・教育目標との対応 ／Learning and Educational Policy |
(1)分析・解決能力 Analysis and Solution. |
| 備考 ／Notes |
授業の一部は英語（資料配付，板書，口頭説明）を行うが，基本的には日本語とする． Japanese language is mainly used for this lecture, however, reference materials, writing on blackboard, and oral presentation in English are provided briefly. |
| No. | 回（日時） ／Time (date and time) |
主題と位置付け（担当） ／Subjects and instructor's position |
学習方法と内容 ／Methods and contents |
備考 ／Notes |
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| 該当するデータはありません | ||||
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Active learning 1-1 ／主体的学修（反転授業，小テスト，振り返り 等） |
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Active learning 1-2 ／上記項目に係るALの度合い |
該当なし |
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Active learning 2-1 ／対話的学修（グループ学習，協働，調査体験 等） |
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Active learning 2-2 ／上記項目に係るALの度合い |
該当なし |
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Active learning 3-1 ／深い学修（複数科目の知識の総合化や問題解決型学修 等） |
学部で学んだ電子物性，半導体工学の知識が必要です．Knowledge of electronic properties and semiconductor engineering learned in undergraduate is required. |
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Active learning 3-2 ／上記項目に係るALの度合い |
15%～50% |