開講学期/Course Start | 2022年度/Academic Year 前期/First |
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開講曜限/Class period | 木/Thu 10 , 木/Thu 11 |
授業区分/Regular or Intensive | 週間授業 |
対象学科/Department | 創造工学科 夜間主コース電気系コース |
対象学年/Year | 3年 , 4年 |
授業科目区分/Category | 教育課程 創造工学科 |
必修・選択/Mandatory or Elective | 必修 |
授業方法/Lecture or Seminar | 講義科目 |
授業科目名/Course Title | 半導体工学(夜間・電気)/Semiconductor Engineering |
単位数/Number of Credits | 2 |
担当教員名/Lecturer | 関根 ちひろ (創造工学科電気電子工学コース) |
時間割コード/Registration Code | J8466 |
連絡先/Contact | 関根 ちひろ(F302, 0143-46-5551, sekine@mmm.muroran-it.ac.jp) |
オフィスアワー/Office hours | 関根 ちひろ(水曜日 16:00〜17:00、金曜日 16:00〜17:00) |
実務経験/Work experience |
更新日/Date of renewal | 2022/03/03 |
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授業のねらい /Learning Objectives |
今日の情報通信技術は、半導体エレクトロニクス技術を基礎として発展している。本授業では、半導体デバイスの動作原理、各種半導体デバイスへの応用技術について習得する。 |
到達度目標 /Outcomes Measured By: |
1.半導体に関する基本的な用語を理解することができる(40%)。 2.半導体デバイスの動作原理を理解することができる(30%)。 3.各種半導体デバイスの動作原理を理解することができる(30%)。 |
授業計画 /Course Schedule |
総時間数:1.5時間×15回+定期試験(1.5時間)=24時間 第1回:ガイダンス、固体のエネルギー帯1(電子近似モデル) 第2回:固体のエネルギー帯2(フェルミ分布) 第3回:半導体の伝導機構1(キャリア密度) 第4回:半導体の伝導機構2(ドリフト電流、拡散電流) 第5回:半導体の伝導機構3(キャリアの発生、再結合) 第6回:pn接合 第7回:金属・半導体接触 第8回:ショットキー障壁 第9回:ダイオード 第10回:バイポーラトランジスタ 第11回:ユニポーラトランジスタ(JFET) 第12回:ユニポーラトランジスタ(MOSFET) 第13回:フォトニックデバイス 第14回:熱電効果 第15回:集積回路の基礎 定期試験 各回の学修時間の目安は、事前・事後合わせて4時間必要です。 新型コロナウイルス感染症の流行状況に伴い、学生への十分な周知のもと、授業計画・授業実施方法は変更する可能性があります。 |
教科書 /Required Text |
電子デバイスの基礎(桜庭一郎、岡本淳共著、森北出版) |
参考書等 /Required Materials |
最新VLSIの基礎(Yuan Taur (陶元), Tak H. Ning (甯徳雄)著;芝原健太郎、宮本恭幸、内田建監訳、丸善出版) |
成績評価方法 /Grading Guidelines |
定期試験50%、レポート(3回程度)50%の割合で評価する。 100 点満点中60 点以上が合格点である。 新型コロナウイルス感染症の流行状況に伴い、学生への十分な周知のもと、成績評価方法は変更する可能性があります。 |
履修上の注意 /Notices |
不合格者に対しての再試験はしない。期末試験の欠席者(正当な理由がある者)に対しては、追試験を行う予定である。なお、原則として、理由なく3回以上欠席した者は評価の対象としない。 |
学習・教育目標との対応 /Learning and Educational Policy |
学生便覧「学習目標と授業科目との関係表」参照 |
関連科目 /Related course |
電子物性、電気電子材料、等 |
No. | 回(日時) /Time (date and time) |
主題と位置付け(担当) /Subjects and instructor's position |
学習方法と内容 /Methods and contents |
備考 /Notes |
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該当するデータはありません |
Active learning 1-1 /主体的学修(反転授業,小テスト,振り返り 等) |
・この授業ではレポートを課します。課題レポートは、講義中に扱えなかった発展的問題を含んでおり、定期試験の問題と同程度の難易度である。課題により理解度を確認すること。 |
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Active learning 1-2 /上記項目に係るALの度合い |
50%超 |
Active learning 2-1 /対話的学修(グループ学習,協働,調査体験 等) |
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Active learning 2-2 /上記項目に係るALの度合い |
該当なし |
Active learning 3-1 /深い学修(複数科目の知識の総合化や問題解決型学修 等) |
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Active learning 3-2 /上記項目に係るALの度合い |
該当なし |