| 開講学期／Course Start | 2017年度／Academic Year 後期／Second |
|---|---|
| 開講曜限／Class period | 水 /Wed 5 , 水 /Wed 6（前半８週） |
| 授業区分／Regular or Intensive | 週間授業 |
| 対象学科／Department | 応用理化学系学科 |
| 対象学年／Year | 3年,4年 |
| 授業科目区分／Category | 教育課程 主専門教育科目 |
| 必修・選択／Mandatory or Elective | 選択 |
| 授業方法／Lecture or Seminar | 講義 |
| 授業科目名／Course Title | 半導体物理学（前半８週）／Physics of Semiconductor |
| 単位数／Number of Credits | 1.0 |
| 担当教員名／Lecturer | 矢野隆治(応用理化学系学科応用物理コース) |
| 時間割コード／Registration Code | C3717 |
| 連絡先／Contact |
矢野隆治(6号棟 Ｋ202 電話：5613 メール：ryie1（＠）mmm.muroran-it.ac.jp （＠）を@にかえる) |
| オフィスアワー／Office hours | 矢野隆治(月曜 16：00～17：00) |
| 更新日／Date of renewal | 2017/09/22 |
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| 授業のねらい ／Learning Objectives |
SiあるいはGaAs等の半導体材料は不純物注入等のによる物性制御に適し、 電子素子材料として重要である。 半導体の性質を概説した後、半導体の物理を理解するための準備として、 バンドモデル・金属の性質などを述べる。 その後、半導体の基本的な性質からｐｎ接合まで、解説する |
| 到達度目標 ／Outcomes Measured By: |
１、自由電子模型を理解する ２、バンド構造（Blochの定理を含む）を理解する ３、半導体の物性（キャリアの性質）を理解する ４、半導体の物性（電気伝導）について理解する |
| 授業計画 ／Course Schedule |
：総授業時間数（実時間）；１２時間 １～２週目 シラバスの説明、バンド構造概要、自由電子模型 ３週目 バンド理論 Blochの定理 ４週目 バンド構造モデル （弱い束縛、強い束縛） ５週目 半導体のキャリア ６～７週目 ｐｎ接合、その他 ８週目 定期試験 各到達度目標の評価方法は、次のように行なう。 目標1～4．定期試験において問題を出し達成度を評価する。 なお、計算を含む問題は、問題の正しい理解と論理的思考によって、 正しい答えが得られるように作成してあるため、知識力、理解力、および計算力を 問う事になる。 講義の内容は、全て基礎的な内容なので、十分な復習をすること。 |
| 参考書等 ／Required Materials |
宇野良清、他共訳 「キッテル固体物理学入門（上）(下）」第７版 丸善(ISBN:4621076531)
固体物理の基礎 アシュクロフト, マーミン著 ; 松原武生, 町田一成訳. -- 吉岡書店(ISBN:4842701986) 固体物理の基礎 アシュクロフト, マーミン著 ; 松原武生, 町田一成訳. -- 吉岡書店(ISBN:4842701994) 固体物理の基礎 アシュクロフト, マーミン著 ; 松原武生, 町田一成訳. -- 吉岡書店(ISBN:4842702028) 固体物理の基礎 アシュクロフト, マーミン著 ; 松原武生, 町田一成訳. -- 吉岡書店(ISBN:4842703474) |
| 教科書・参考書に関する備考 | 教科書は、配布するＰＤＦで行う。 |
| 成績評価方法 ／Grading Guidelines |
１００点満点で定期試験で評価する。１００点満点で６０点以上を合格とする。 各到達度目標の評価方法は、次のように行なう。 目標1～4．定期試験において問題を出し達成度を評価する。 なお、計算を含む問題は、問題の正しい理解と論理的思考によって、 正しい答えが得られるように作成してあるため、知識力、理解力、および計算力を 問う事になる。 |
| 履修上の注意 ／Notices |
1)講義を休まないで出席してください。 2)授業の変更や緊急時の連絡は授業中または掲示板で通知をする。 3)不合格者は再履修すること。 |
| 教員メッセージ ／Message from Lecturer |
半導体物理は、固体物理学を土台として、理解される。 固体物理学と同じように、力学、電磁気学、熱力学、量子論、統計力学などの物理学の基礎知識、また微分方程式解法などの数学的手法の知識、化学結合などの化学などの基礎知識が半導体を理解する上で必要である。 |
| 学習・教育目標との対応 ／Learning and Educational Policy |
この授業の単位修得は、JABEE基準１（１）の(d)：該当する分野別要件 (2)専門能力 各領域に対するプログラムの設定目標実現に必要な専門科目 を系統的に修得した専門知識及び専門技術、に対応している。 学科の学習・教育目標の、 (F)：応用物理専門能力 に対応している。 JABEE基準1(2)の(d)当該分野において必要とされる専門的知識とそれらを応用する能力に対応する。 |
| 関連科目 ／Related course |
固体物理A,固体物理B、物理数学、振動波動論、電磁気学、量子論、量子力学,統計熱力学の基本を習得していること。 |
| No. | 回（日時） ／Time (date and time) |
主題と位置付け（担当） ／Subjects and instructor's position |
学習方法と内容 ／Methods and contents |
備考 ／Notes |
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| 該当するデータはありません | ||||
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Active learning 1-1 ／主体的学修（予復習，反転授業，小テスト，振り返り 等） |
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Active learning 1-2 ／上記項目に係るALの度合い |
該当なし |
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Active learning 2-1 ／対話的学修（グループ学習，協働，調査体験 等） |
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Active learning 2-2 ／上記項目に係るALの度合い |
該当なし |
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Active learning 3-1 ／深い学修（複数科目の知識の総合化や問題解決型学修 等） |
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Active learning 3-2 ／上記項目に係るALの度合い |
該当なし |