開講学期/Course Start | 2016年度/Academic Year 前期/First |
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開講曜限/Class period | 金 /Fri 5 , 金 /Fri 6 |
授業区分/Regular or Intensive | 週間授業 |
対象学科/Department | 情報電子工学系学科(電気電子工学コース、情報通信システム工学コース) |
対象学年/Year | 3年 |
授業科目区分/Category | 教育課程 主専門教育科目 |
必修・選択/Mandatory or Elective | 必修 |
授業方法/Lecture or Seminar | 講義 |
授業科目名/Course Title | 半導体工学/Semiconductor Engineering |
単位数/Number of Credits | 2.0 |
担当教員名/Lecturer | 福田 永(情報電子工学系学科電気電子工学コース) |
時間割コード/Registration Code | B4306 |
連絡先/Contact |
福田 永(Y-707 0143-46-5549 fukuda@mmm.muroran-it.ac.jp) |
オフィスアワー/Office hours | 福田 永(別に学科Web等で掲示する ) |
更新日/Date of renewal | 2016/04/08 |
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授業のねらい /Learning Objectives |
今日の情報通信技術は、半導体エレクトロニクス技術を基礎として発展している。本授業では、半導体デバイスの動作原理、各種半導体デバイスへの応用技術について習得する。 |
到達度目標 /Outcomes Measured By: |
1.半導体に関する基本的な用語を理解することができる(40%)。レポート課題1にて評価する。 2.半導体デバイスの動作原理を理解することができる(30%)。 レポート課題2.にて評価する。 3.各種半導体デバイスの動作原理を理解することができる(30%)。 レポート課題3.にて評価する。 |
授業計画 /Course Schedule |
総時間数24.0時間 1週目 電子デバイスとは 2週目 固体のエネルギー帯 3週目 半導体中のキャリア 4週目 pn接合とショットキー障壁 5週目 ダイオード 6週目 バイポーラトランジスタ 7週目 ユニポーラトランジスタ(1) 8週目 ユニポーラトランジスタ(2) 9週目 電子デバイスの雑音 10週目 マイクロ波デバイス 12週目 フォトニックデバイス 13週目 集積回路 14週目 ナノデバイス 15週目 パワーデバイス 16週目 定期試験 |
教科書 /Required Text |
電子デバイスの基礎 桜庭一郎, 岡本淳共著 森北出版 2003(ISBN:4627772610) |
参考書等 /Required Materials |
最新VLSIの基礎 Yuan Taur (陶元), Tak H. Ning (甯徳雄)著 ; 芝原健太郎, 宮本恭幸, 内田建監訳 丸善出版 2013(ISBN:9784621085813) |
教科書・参考書に関する備考 | 電子物性で用いた教科書の内容について一部復習する。 |
成績評価方法 /Grading Guidelines |
100点満点の60点以上を合格とする。成績は、定期試験50%、レポート(3回程度)50%の割合で評価する。不合格の場合は、再履修となる。 目標1は定期試験ならびにレポートにおいて論述問題を出題し,達成度を評価する。 目標2,3は定期試験ならびにレポートにおいて論述問題と計算問題を出題し,達成度を評価する。 |
履修上の注意 /Notices |
電子物性を履修していることが望ましい。 |
教員メッセージ /Message from Lecturer |
レポートを3回程度課す予定である。自力で解答できるようにすること。 |
学習・教育目標との対応 /Learning and Educational Policy |
本授業は、「電気電子工学科の学習目標」のB.電気電子工学分野の技術の基礎となる知識を習得するに主体的に関与する。 |
関連科目 /Related course |
電子物性 |
No. | 回(日時) /Time (date and time) |
主題と位置付け(担当) /Subjects and instructor's position |
学習方法と内容 /Methods and contents |
備考 /Notes |
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