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開講学期 Course Start |
2012年度 前期 |
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授業区分 Regular or Intensive |
週間授業 |
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対象学科 Department |
情報電子工学系学科（電気電子工学コース、情報通信システム工学コース） |
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対象学年 Year |
3 |
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必修・選択 Mandatory or Elective |
必修 |
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授業方法 Lecture or Seminar |
講義 |
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授業科目名 Course Title |
半導体工学 |
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単位数 Number of Credits |
2 |
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担当教員 Lecturer |
福田 永 |
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教員室番号 Office |
Y-707 |
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連絡先(Tel) Telephone |
0143-46-5549 |
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連絡先(E-mail) |
fukuda＠mmm.muroran-it.ac.jp |
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オフィスアワー Office Hour |
水曜日13:00〜15:00 木曜日13:00〜15:00 |
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授業のねらい Learning Objectives |
今日の情報通信技術は、半導体エレクトロニクス技術を基礎として発展している。本授業では、半導体デバイスの動作原理、各種半導体デバイスへの応用技術について習得する。 |
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到達度目標 Outcomes Measured By: |
１．半導体に関する基本的な用語を理解することができる(４０％)。 ２．半導体デバイスの動作原理を理解することができる（３０％）。 ３．各種半導体デバイスの動作原理を理解することができる（３０％）。 |
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授業計画 Course Schedule |
総時間数２４．０時間 １週目 シラバス内容と授業方針の説明 ２週目 固体内の電子の振舞い ３週目 原子のエネルギー準位と固体のバンド構造 ４週目 ブリルアン帯と有効質量の概念 ５週目 真性半導体と外因性半導体 ６週目 キャリア密度と電気伝導 ７週目 キャリアの発生と再結合 ８週目 pn接合とショットキー接触 ９週目 ダイオードとバイポーラトランジスタ １０週目 接合型電界効果トランジスタの動作原理 １１週目 金属−酸化膜−半導体(MOS)構造 １２週目 MOS型電界効果トランジスタの動作原理 １３週目 発光ダイオードと半導体レーザー １４週目 フォトダイオードとイメージセンサ １５週目 集積回路、まとめ １６修目 定期試験 |
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教科書 Required Text |
桜庭一郎、岡本 淳著「電子デバイスの基礎」森北出版 定価（本体2400円＋税） |
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参考書 Required Materials |
Ｓ．Ｍ．ジイー著「半導体デバイス−基礎理論とプロセス技術−」産業図書（6000円＋税）（図書館に所蔵有り） |
| 教科書・参考書に関する備考 | |
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成績評価方法 Grading Guidelines |
１００点満点の６０点以上を合格とする。成績は、定期試験５０％、レポート（３回程度）５０％の割合で評価する。 目標１は定期試験ならびにレポートにおいて論述問題を出題し，達成度を評価する。 目標２，３は定期試験ならびにレポートにおいて論述問題と計算問題を出題し，達成度を評価する。 |
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履修上の注意 Please Note |
電子物性を履修していることが望ましい。 |
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教員メッセージ Message from Lecturer |
レポートを３回程度課す予定である。自力で解答できるようにすること。 |
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学習・教育目標との対応 Learning and Educational Policy |
本授業は、「電気電子工学科の学習目標」のＢ．電気電子工学分野の技術の基礎となる知識を習得するに主体的に関与する。 |
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関連科目 Associated Courses |
電子物性 |
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備考 Remarks |