開講学期
Course Start
2012年度 後期
授業区分
Regular or Intensive
週間授業
対象学科
Department
情報電子工学系専攻
対象学年
Year
1
必修・選択
Mandatory or Elective
選択
授業方法
Lecture or Seminar
講義および演習
授業科目名
Course Title
プラズマエレクトロニクス特論
単位数
Number of Credits
2
担当教員
Lecturer
植杉克弘
教員室番号
Office
Y701
連絡先(Tel)
Telephone
0143-46-5546
連絡先(E-mail)
E-mail
uesugi@mmm.muroran-it.ac.jp
オフィスアワー
Office Hour
月・水曜日 17時〜18時 
授業のねらい
Learning Objectives
LSIやメモリ製造工程の超微細加工で用いられるプラズマ・プロセシング,高出力レーザー,放電灯等のように,プラズマのマイクロエレクトロニクス分野での利用は多岐にわたっている.プラズマを適切かつ効率よく利用するには,その性質の詳細な理解と自在な制御が必要である.特に,プラズマの生成,プラズマ中の原子,分子,荷電粒子の挙動とそれらの物質との相互作用を把握することは,プラズマ・プロセス技術を理解する上で重要である.この授業では,部分的に電離し化学的に高い反応性をもつプラズマ放電の基本原理と,そのマイクロエレクトロニクス分野等への応用について学ぶ.
到達度目標
Outcomes Measured By:
1.プラズマの性質を理解する.
2.プラズマの生成メカニズムを理解する.
3.プラズマ源について理解する.
4. マイクロエレクトロニクス分野での応用について理解する.
授業計画
Course Schedule
総時間数:1.5時間×16回=24時間
1週 ガイダンス
2週 Introduction to Plasma Discharges (講義)
3-4週 Plasma Fundamentals(講義および演習)
5週 Introduction to Plasma Sources(講義)
6-9週 RIE, ECR, ICPs, TCPs (講義および演習)
10週 Introduction to Plasma Processing (講義)
11-14週 Kinetic Theory and Collisions(講義および演習)
15週 Applications in Microelectronics(講義)
16週 期末試験
教科書
Required Text
授業に必要な資料は適宜プリントとして配布する.
参考書
Required Materials
 
教科書・参考書に関する備考
成績評価方法
Grading Guidelines
期末試験(50点),演習結果(50点)によって評価し,合計60点以上を合格とする.
履修上の注意
Please Note
授業の変更や緊急時の連絡は授業中または掲示板で通知をする.
再試験は行わない.不合格者は再履修すること.
教員メッセージ
Message from Lecturer
学習・教育目標との対応
Learning and Educational
Policy
関連科目
Associated Courses
備考
Remarks