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開講学期 Course Start |
2012年度 後期 |
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授業区分 Regular or Intensive |
週間授業 |
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対象学科 Department |
情報電子工学系専攻 |
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対象学年 Year |
1 |
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必修・選択 Mandatory or Elective |
選択 |
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授業方法 Lecture or Seminar |
講義および演習 |
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授業科目名 Course Title |
プラズマエレクトロニクス特論 |
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単位数 Number of Credits |
2 |
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担当教員 Lecturer |
植杉克弘 |
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教員室番号 Office |
Y701 |
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連絡先(Tel) Telephone |
0143-46-5546 |
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連絡先(E-mail) |
uesugi＠mmm.muroran-it.ac.jp |
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オフィスアワー Office Hour |
月・水曜日 17時〜18時 |
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授業のねらい Learning Objectives |
ＬＳＩやメモリ製造工程の超微細加工で用いられるプラズマ・プロセシング，高出力レーザー，放電灯等のように，プラズマのマイクロエレクトロニクス分野での利用は多岐にわたっている．プラズマを適切かつ効率よく利用するには，その性質の詳細な理解と自在な制御が必要である．特に，プラズマの生成，プラズマ中の原子，分子，荷電粒子の挙動とそれらの物質との相互作用を把握することは，プラズマ・プロセス技術を理解する上で重要である．この授業では，部分的に電離し化学的に高い反応性をもつプラズマ放電の基本原理と，そのマイクロエレクトロニクス分野等への応用について学ぶ． |
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到達度目標 Outcomes Measured By: |
1．プラズマの性質を理解する． 2．プラズマの生成メカニズムを理解する． 3．プラズマ源について理解する． 4. マイクロエレクトロニクス分野での応用について理解する． |
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授業計画 Course Schedule |
総時間数：1.5時間×16回＝24時間 1週 ガイダンス 2週 Introduction to Plasma Discharges （講義） 3-4週 Plasma Fundamentals（講義および演習） 5週 Introduction to Plasma Sources（講義） 6-9週 RIE, ECR, ICPs, TCPs （講義および演習） 10週 Introduction to Plasma Processing （講義） 11-14週 Kinetic Theory and Collisions（講義および演習） 15週 Applications in Microelectronics（講義） 16週 期末試験 |
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教科書 Required Text |
授業に必要な資料は適宜プリントとして配布する． |
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参考書 Required Materials |
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| 教科書・参考書に関する備考 | |
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成績評価方法 Grading Guidelines |
期末試験（50点），演習結果（50点）によって評価し，合計60点以上を合格とする． |
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履修上の注意 Please Note |
授業の変更や緊急時の連絡は授業中または掲示板で通知をする． 再試験は行わない．不合格者は再履修すること． |
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教員メッセージ Message from Lecturer |
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学習・教育目標との対応 Learning and Educational Policy |
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関連科目 Associated Courses |
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備考 Remarks |