開講年度	2007
教育課程名	博士前期課程　専攻別科目
授業科目番号	5
授業科目名	半導体工学特論
開講曜日と時限	水曜日7〜8時限(14:35〜16:05)
教室番号	Y-103
開講学期	後期
単位数	2
対象学科・学年	電気電子工学専攻1年
必修・選択の別	選択
授業方法	講義
担当教員	福田　永(FUKUDA， Hisashi)(電気エネルギー・エレクトロニクス講座）
教員室番号	Y-707
連絡先（Tel）	0143-46-5549
連絡先（E-Mail）	fukuda@mmm.muroran-it.ac.jp
オフィスアワー	月曜日13:00〜15:00 金曜日13:00〜15:00
授業のねらい	本講義では半導体の基礎的な物性とそれを利用した電子デバイスの構造、動作原理、および集積化技術について学ぶ。
到達度目標	１. 半導体に関する基本的な用語の意味を学び、使用することができる。 ２. エネルギーバンドの概念、半導体中のキャリアの移動のしくみを理解する。 ３．半導体デバイスの動作原理を習得し、各種デバイスの動作と集積化について理解する。
授業計画	第１週　　半導体材料、半導体の結晶構造 　第２週　　エネルギーバンド理論 　第３週　　真性半導体と不純物半導体 　第４週　　半導体中のキャリア移動 　第５週　　pn接合、金属-半導体接触 　第６週　　バイポーラトランジスタ 　第７週　　電界効果トランジスタ 　第８週　　集積回路のあらまし 　第９週　　結晶成長と加工 　第１０週　酸化膜・堆積膜形成 　第１１週　不純物導入技術 　第１２週　リソグラフィ技術 　第１３週　メタライゼーション技術 　第１４週　集積化技術 　第１５週　まとめ
教科書及び教材	特に指定しない 授業での資料は、毎回、プリントとして配布する
参考書	S.M.ジー著　「半導体デバイス〜基礎理論とプロセス技術〜」産業図書 〔図書館に所蔵あり）
成績評価方法	定期試験（50％）及びレポートまたは小テスト（50％）によって評価し、60点以上を合格とする。
履修上の注意	電子デバイス特論を履修していることが望ましい。
教員からのメッセージ
学習・教育目標との対応
関連科目
その他