開講年度 | 2007 |
教育課程名 | 主専門教育課程 学科別科目 |
授業科目番号 | 18 |
授業科目名 | 半導体工学 |
開講曜日と時限 | 金曜日1〜2時限(17:00〜18:30) |
教室番号 | A250 |
開講学期 | 前期 |
単位数 | 2 |
対象学科・学年 | 電気電子工学科4年 |
必修・選択の別 | 選択 |
授業方法 | 講義 |
担当教員 | 福田 永(FUKUDA, Hisashi)(電気エネルギー・エレクトロニクス講座) |
教員室番号 | Y-707 |
連絡先(Tel) | 0143-46-5549 |
連絡先(E-Mail) | fukuda@mmm.muroran-it.ac.jp |
オフィスアワー |
月曜日13:00〜15:00
金曜日13:00〜15:00 |
授業のねらい | 今日の情報通信技術は、半導体エレクトロニクス技術を基礎として発展している。本授業では、半導体デバイスの動作原理、各種半導体デバイスへの応用技術について習得する。 |
到達度目標 |
1.半導体に関する基本的な用語を理解することができる。
2.半導体デバイスの動作原理を理解することができる。 3.各種半導体デバイスの動作原理を理解することができる。 |
授業計画 |
1週目 シラバス内容と授業方針の説明
2週目 固体内の電子の振舞い 3週目 原子のエネルギー準位と固体のバンド構造 4週目 ブリルアン帯と有効質量の概念 5週目 真性半導体と外因性半導体 6週目 キャリア密度と電気伝導 7週目 キャリアの発生と再結合 8週目 pn接合とショットキー接触 9週目 ダイオードとバイポーラトランジスタ 10週目 接合型電界効果トランジスタの動作原理 11週目 金属−酸化膜−半導体(MOS)構造 12週目 MOS型電界効果トランジスタの動作原理 13週目 発光ダイオードと半導体レーザー 14週目 フォトダイオードとイメージセンサ 15週目 集積回路、まとめ |
教科書及び教材 | 桜庭一郎、岡本 淳著「電子デバイスの基礎」森北出版 定価(本体2400円+税) |
参考書 | S.M.ジイー著「半導体デバイス−基礎理論とプロセス技術−」産業図書(6000円+税)(図書館に所蔵有り) |
成績評価方法 | 60点以上を合格とする。成績は、定期試験50%、レポート50%の割合で評価する。 |
履修上の注意 | 電子物性論を履修していることが望ましい。 |
教員からのメッセージ | レポートを3回程度課す予定である。自力で解答できるようにすること。 |
学習・教育目標との対応 | 本授業は、「電気電子工学科の学習目標」のB.電気電子工学分野の技術の基礎となる知識を習得するに主体的に関与する。 |
関連科目 | 電子物性論 |
その他 |