開講年度	2007年度
教育課程名	主専門教育課程 学科別科目　電気電子工学科（昼間コース）
授業科目番号	36
授業科目名	半導体工学 (Semiconductor Engineering)
開講曜日と時限	火曜日5〜6時限(12:55〜14:25)
教室番号	A333
開講学期	後期
単位数	2単位
対象学科・学年	電気電子工学科3年
必修・選択の別	選択
授業方法	講義
担当教員	福田　永(FUKUDA， Hisashi)(電気電子工学科・電気エネルギー・エレクトロニクス講座）
教員室番号	Y-707（総合研究棟7階）
連絡先（Tel）	0143-46-5549
連絡先（E-Mail）	fukuda@mmm.muroran-it.ac.jp
オフィスアワー	月曜日13:00〜15:00 金曜日13:00〜15:00
授業のねらい	今日の情報通信技術は、半導体エレクトロニクス技術を基礎として発展している。本授業では、半導体デバイスの動作原理、各種半導体デバイスへの応用技術について例題を通して習得する。
到達度目標	１．半導体に関する基本的な公式を理解し、問題を解くことができ　る。（計算力、３０％） ２．半導体デバイスの動作原理を理解し、概念や考え方を理解することができる。（知識力、４０％） ３．各種半導体デバイスの動作原理を理解し、具体的な低用例をあげて説明することができる。（理解力、３０％）
授業計画	１週目　シラバス説明、電子デバイスの概要 pp.1-3（教科書） 　２週目　固体内の電子の振舞い　　pp.4-8 　３週目　原子のエネルギー準位と固体のバンド構造 pp.9-15 　４週目　ブリルアン帯と有効質量の概念 pp.16-22 　５週目　真性半導体と外因性半導体 pp.23-33 　６週目　キャリア密度と電気伝導 pp.34-38 　７週目　キャリアの発生と再結合 pp.39-43 　８週目　pn接合とショットキー接触 pp.44-60 　９週目　ダイオードとバイポーラトランジスタ pp.61-88 １０週目　接合型電界効果トランジスタの動作原理 pp.89-95 １１週目　金属−酸化膜−半導体(MOS)構造 pp.96-102 １２週目　MOS型電界効果トランジスタの動作原理 pp.103-109 １３週目　発光ダイオードと半導体レーザー pp.129-145 １４週目　フォトダイオードとイメージセンサ pp.146-154 １５週目　集積回路、まとめ pp.155-168
教科書及び教材	桜庭一郎、岡本　淳著「電子デバイスの基礎」森北出版　定価（本体2400円＋税） 他に授業に使用する必要な資料は毎回プリントとして配布する。
参考書	Ｓ．Ｍ．ジイー著「半導体デバイス−基礎理論とプロセス技術−」産業図書（6000円＋税）（図書館に所蔵有り）
成績評価方法	１００点満点で６０点以上を合格とする。成績は、定期試験５０％、レポート５０％の割合で評価する。 各達成度目標の評価方法は、次のように行う。 目標1．レポート、定期試験において計算問題を出題し、達成度を評価する。 目標2．レポート、定期試験において論述問題を出題し、達成度を評価する。 目標3．レポート、定期試験において論証問題を出題し、達成度を評価する。 目標4．レポート、定期試験において実例を分析する問題を出題し、達成度を評価する。
履修上の注意	１．知識力、理解力、計算力などの向上を目指すため、適宜レポートを課すので十分復習をしておくこと。 ２．授業の変更や緊急時の連絡は授業中または掲示板で通知する。 ３．再試験は行わない。 ４．不合格者は再履修すること。
教員からのメッセージ	レポートを３回〜５回程度課す予定である。自力で解答できるようにすること。 解答例は、レポート提出後、配布する。
学習・教育目標との対応	本授業は、「電気電子工学科の学習目標」のＢ．電気電子工学分野の技術の基礎となる知識を習得するに主体的に関与する。
関連科目	この科目の履修にあたっては、２学年開講の電子物性と３学年開講の電気電子材料を履修しておくことが望ましい。
その他