| 授業のねらい |
| 本講義では半導体の基礎的な物性とそれを利用した電子デバイスの構造、動作原理、および集積化技術について学ぶ。 |
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| 授業の目標 |
１. 半導体に関する基本的な用語の意味を学び、使用することができる。
２. エネルギーバンドの概念、半導体中のキャリアの移動のしくみを理解する。
３．半導体デバイスの動作原理を習得し、各種デバイスの動作と集積化について理解する。 |
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| 授業計画 |
第１週 半導体材料、半導体の結晶構造
第２週 エネルギーバンド理論
第３週 真性半導体と不純物半導体
第４週 半導体中のキャリア移動
第５週 pn接合、金属-半導体接触
第６週 バイポーラトランジスタ
第７週 電界効果トランジスタ
第８週 集積回路のあらまし
第９週 結晶成長と加工
第１０週 酸化膜・堆積膜形成
第１１週 不純物導入技術
第１２週 リソグラフィ技術
第１３週 メタライゼーション技術
第１４週 集積化技術
第１５週 まとめ |
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| 教科書及び教材 |
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| 参考書 |
S.M.ジー著 「半導体デバイス〜基礎理論とプロセス技術〜」産業図書
〔図書館に所蔵あり） |
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| 成績評価方法 |
| 中間試験（30％）定期試験（40％）及びレポートまたは小テスト（30％）によって評価し、60点以上を合格とする。 |
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| 履修条件等 |
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| 教官からのメッセージ |
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| その他 |
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