| 対象年度 | 2004 |
| 教育課程名 | 博士前期課程 専攻別科目 |
| 授業科目名 | 半導体集積回路特論 |
| Subject Name | Advanced Semiconductor Integrated Circuits |
| 単位数 | 1 |
| 必修・選択の別 | 必修 |
| 対象学科・学年 | 電気電子工学専攻1年 |
| 開講時期 | 後期 |
| 授業方法 | 講義 |
| 担当教官 | 福田 永(FUKUDA， Hisashi) （電気電子工学科・電子デバイス工学講座） |
| 教官室番号 | Ｙ−７０７ |
| 連絡先（Tel） | 0143-46-5549 |
| 連絡先（E-Mail） | fukuda@mmm.muroran-it.ac.jp |
| 授業のねらい | 最先端のマイクロプロセッサ、システムＬＳＩおよびメモリは集積回路技術を基礎として構成されている。本事業では半導体集積回路の設計、プロセス技術について修得する。 |
| 授業の目標 | １．半導体製造に関する基本的な用語の意味を学び、使用することができる。 ２．半導体製造プロセスを修得し、各種ＬＳＩへの応用を理解できる。 ３．回路設計技術を修得し、基本的な回路パターンをイメージすることができる。 |
| 授業計画 | １週目 集積回路のあらまし ２週目 単結晶成長技術 ３週目 エピタキシャル成長技術 ４週目 酸化膜形成技術 ５週目 堆積膜形成技術 ６週目 不純物拡散技術 ７週目 イオン注入技術 ８週目 光・電子線露光技術 ９週目 微細加工技術 １０週目 微細配線形成技術 １１週目 バイポーラ集積技術 １２週目 ＭＯＳ集積化技術 １３週目 ＵＬＳＩ超集積化技術（１） １４週目 ＵＬＳＩ超集積化技術（２） １５週目 まとめ |
| 教科書及び教材 | |
| 参考書 | C. Y. Chang and S. M. Sze ”ULSI Technology” McGraw-Hill， 1996 |
| 成績評価方法 | ６０点以上を合格とする。レポート課題・小テストを総合して評価とする。 |
| 履修条件等 | |
| 教官からのメッセージ | |
| その他 | 電気電子工学分野の技術の基礎となる知識を修得する。 |