科目概要

対象年度 2004
教育課程名 昼間コース 主専門教育課程 学科別科目
授業科目名 半導体デバイス工学
Subject Name Semiconductor Device Engineering
単位数 1
必修・選択の別 必修
対象学科・学年 電気電子工学科3年
開講時期 後期
授業方法 講義
担当教官 福田 永(FUKUDA,Hisashi) (電気電子工学科・電子デバイス工学講座)
教官室番号 Y−707
連絡先(Tel) 0143-46-5549
連絡先(E-Mail) fukuda@mmm.muroran-it.ac.jp


シラバス

授業のねらい 最先端のマイクロプロセッサ、システムLSIおよびメモリは半導体デバイスから構成されている。本授業では、半導体デバイスの動作原理、集積化技術および集積回路技術について修得する。
授業の目標 1.半導体に関する基本的な用語の意味を学び、使用することできる。
2.半導体デバイス動作原理を習得し、各種デバイスの動作を理解することができる。
3.最先端デバイスの集積化技術を習得し、基本回路動作を理解することができる。
授業計画  1週目 半導体中のキャリア運動
 2週目 エネルギーバンドの概念
 3週目 真性半導体と不純物半導体
 4週目 少数キャリア注入の意味
 5週目 表面界面準位とキャリア捕獲
 6週目 p−n接合とその特性
 7週目 バイポーラデバイスの動作原理(1)
 8週目 バイポーラデバイスの動作原理(2)
 9週目 MOS構造とその特性
10週目 MOSダイオード特性
11週目 MOSデバイスの動作
12週目 CMOS集積回路
13週目 集積回路技術(1)
14週目 集積回路技術(2)
15週目 まとめ
教科書及び教材 桜庭一郎・岡本 淳著「電子デバイスの基礎」森北出版 定価(2400円+税)
参考書 S.M.ジイー著「半導体デバイス−基礎理論とプロセス技術−」産業図書 定価(6000円+税)(図書館に所蔵有り)
成績評価方法 成績は、定期試験50%、レポート50%の割合で評価する。60点以上を合格とする。
履修条件等 半導体基礎工学を履修していることが望ましい。
教官からのメッセージ レポートを3〜5回課す予定である。自力で解答できるようにすること。
その他 電気電子工学分野の技術の基礎となる知識を修得する。