対象年度 | 2004 |
教育課程名 | 昼間コース 主専門教育課程 学科別科目 |
授業科目名 | 半導体デバイス工学 |
Subject Name | Semiconductor Device Engineering |
単位数 | 1 |
必修・選択の別 | 必修 |
対象学科・学年 | 電気電子工学科3年 |
開講時期 | 後期 |
授業方法 | 講義 |
担当教官 | 福田 永(FUKUDA,Hisashi) (電気電子工学科・電子デバイス工学講座) |
教官室番号 | Y−707 |
連絡先(Tel) | 0143-46-5549 |
連絡先(E-Mail) | fukuda@mmm.muroran-it.ac.jp |
授業のねらい | 最先端のマイクロプロセッサ、システムLSIおよびメモリは半導体デバイスから構成されている。本授業では、半導体デバイスの動作原理、集積化技術および集積回路技術について修得する。 |
授業の目標 | 1.半導体に関する基本的な用語の意味を学び、使用することできる。 2.半導体デバイス動作原理を習得し、各種デバイスの動作を理解することができる。 3.最先端デバイスの集積化技術を習得し、基本回路動作を理解することができる。 |
授業計画 | 1週目 半導体中のキャリア運動 2週目 エネルギーバンドの概念 3週目 真性半導体と不純物半導体 4週目 少数キャリア注入の意味 5週目 表面界面準位とキャリア捕獲 6週目 p−n接合とその特性 7週目 バイポーラデバイスの動作原理(1) 8週目 バイポーラデバイスの動作原理(2) 9週目 MOS構造とその特性 10週目 MOSダイオード特性 11週目 MOSデバイスの動作 12週目 CMOS集積回路 13週目 集積回路技術(1) 14週目 集積回路技術(2) 15週目 まとめ |
教科書及び教材 | 桜庭一郎・岡本 淳著「電子デバイスの基礎」森北出版 定価(2400円+税) |
参考書 | S.M.ジイー著「半導体デバイス−基礎理論とプロセス技術−」産業図書 定価(6000円+税)(図書館に所蔵有り) |
成績評価方法 | 成績は、定期試験50%、レポート50%の割合で評価する。60点以上を合格とする。 |
履修条件等 | 半導体基礎工学を履修していることが望ましい。 |
教官からのメッセージ | レポートを3〜5回課す予定である。自力で解答できるようにすること。 |
その他 | 電気電子工学分野の技術の基礎となる知識を修得する。 |